power MOSFET transistor

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• Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed …   Wikipedia

• Power MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… …   Deutsch Wikipedia

• Power Bipolar Transistor — Ein Leistungsbipolartransistor (engl. Power Bipolartransistor (Power BJT), BJT: bipolar junction transistor) ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen… …   Deutsch Wikipedia

• Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

• Power semiconductor device — Power semiconductor devices are semiconductor devices used as switches or rectifiers in power electronic circuits (switch mode power supplies for example). They are also called power devices or when used in integrated circuits, called power… …   Wikipedia

• MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

• Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… …   Wikipedia

• Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement …   Wikipédia en Français

• Transistor de efecto campo — P channel N channel Símbolos esquemáticos para los JFETs canal n y canal p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). El transistor de efecto campo (Field Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores… …   Wikipedia Español

• Transistor models — Transistors are complicated devices. In order to ensure the reliable operation of circuits employing transistors, it is necessary to scientifically model the physical phenomena observed in their operation using transistor models. There exists a… …   Wikipedia

• Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français